CPH6318-TL-E

onsemi

CPH6318-TL-E

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 6A 6CPH

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 6 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-CPH

环境

工作温度150°C