CPH3459-TL-W

onsemi

CPH3459-TL-W

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 500MA 3CPH

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 250mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装3-CPH

环境

工作温度150°C(TJ)