CPH3360-TL-H

onsemi

CPH3360-TL-H

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs303mOhm @ 800mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds82 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
最大功耗900mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装3-CPH

环境

工作温度150°C (TJ)