BS108G

onsemi

BS108G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

停产/老旧TO-226-3, TO-92-3 Long Body模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 100mA, 2.8V
基础料号BS108
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2V, 2.8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
最大功耗350mW (Ta)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装TO-92 (TO-226)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)