BS107G

onsemi

BS107G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

停产/老旧TO-226-3, TO-92-3 Long Body模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm @ 200mA, 10V
基础料号BS107
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
最大功耗350mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装TO-92 (TO-226)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)