ATP304-TL-H

onsemi

ATP304-TL-H

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK

在产ATPAK (2 Leads+Tab)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13000 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Ta)
最大功耗90W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
供应商器件封装ATPAK

环境

工作温度150°C (TJ)