ATP218-TL-H

onsemi

ATP218-TL-H

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK

停产/老旧ATPAK (2 Leads+Tab)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 50A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Ta)
最大功耗60W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
供应商器件封装ATPAK

环境

工作温度150°C (TJ)