ATP213-TL-H

onsemi

ATP213-TL-H

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK

停产/老旧ATPAK (2 Leads+Tab)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3150 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Ta)
最大功耗50W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
供应商器件封装ATPAK

环境

工作温度150°C (TJ)