通用
| 基础料号 | 2N4209 |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100µA, 1mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 850MHz |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| 供应商器件封装 | Die |
环境
| 工作温度 | 200°C (TJ) |
|---|