3LN01C-TB-E

onsemi

3LN01C-TB-E

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150mA (Ta)
最大功耗250mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SC-59-3/CP3

环境

工作温度150°C(TJ)