2SK536-TB-E

onsemi

2SK536-TB-E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20Ohm @ 10mA, 10V
基础料号2SK536
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
最大功耗200mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装3-CP

环境

工作温度125°C(TJ)