2SK3821-E

onsemi

2SK3821-E

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 40A SMP

停产/老旧TO-220-3, Short Tab模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
最大功耗1.65W (Ta), 65W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3, Short Tab
供应商器件封装SMP

环境

工作温度150°C (TJ)