通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 6A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 20 V |
| 制造商 | onsemi |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| 最大功耗 | 2W (Ta), 20W (Tc) |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220ML |
环境
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
|---|