2SD1061S

onsemi

2SD1061S

模拟与电源

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

制造商onsemi
安装类型Through Hole
包装Bulk
产品状态在产
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 400mA, 4A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Current - Collector (Ic) (Max)7 A
Current - Collector Cutoff (Max)100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 1A, 2V
Power - Max40 W
Frequency - Transition10MHz

机械

Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB

环境

工作温度150°C (TJ)