2SA1208S-AE

onsemi

2SA1208S-AE

模拟与电源

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

在产TO-226-3, TO-92-3 Long Body模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

制造商onsemi
安装类型Through Hole
包装Bulk
产品状态在产
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 3mA, 30mA

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)160 V
Current - Collector (Ic) (Max)70 mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 10mA, 5V
Power - Max900 mW
Frequency - Transition150MHz

机械

Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装3-MP

环境

工作温度150°C (TJ)