SI2302DS,215

NXP USA Inc

SI2302DS,215

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 10 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id650mV @ 1mA (Min)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Tc)
最大功耗830mW (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23 (TO-236AB)

环境

工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)