PMZB420UN,315

NXP USA Inc

PMZB420UN,315

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3

停产/老旧SC-101, SOT-883模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs490mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds65 pF @ 25 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)
最大功耗360mW (Ta), 2.7W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseSC-101, SOT-883
供应商器件封装DFN1006B-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)