PMWD16UN,518

NXP USA Inc

PMWD16UN,518

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

停产/老旧8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 3.5A, 4.5V
基础料号PMWD16
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1366pF @ 16V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态停产/老旧
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 1mA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.9A
Power - Max3.1W

机械

Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-TSSOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)