PMV40UN,215

Name: PMV40UN,215
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	47mOhm @ 2A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	445 pF @ 30 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 1mA (Typ)

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.9A (Tc)
最大功耗	1.9W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)