PMT760EN,135

NXP USA Inc

PMT760EN,135

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs950mOhm @ 800mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160 pF @ 80 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)
最大功耗800mW (Ta), 6.2W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SC-73

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)