PMR780SN,115

NXP USA Inc

PMR780SN,115

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 550MA SC75

停产/老旧SC-75, SOT-416模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs920mOhm @ 300mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23 pF @ 30 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C550mA (Ta)
最大功耗530mW (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-75, SOT-416
供应商器件封装SC-75

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)