PMR670UPE,115

NXP USA Inc

PMR670UPE,115

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 480MA SC75

停产/老旧SC-75, SOT-416模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 400mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87 pF @ 10 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C480mA (Ta)
最大功耗250mW (Ta), 770mW (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-75, SOT-416
供应商器件封装SC-75

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)