PMPB40SNA115

NXP USA Inc

PMPB40SNA115

模拟与电源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 4.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds612 pF @ 30 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.9A (Tc)
最大功耗1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN2020MD-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)