PMN50UPE,115

NXP USA Inc

PMN50UPE,115

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

停产/老旧SC-74, SOT-457模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24 pF @ 10 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
最大功耗510mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseSC-74, SOT-457
供应商器件封装6-TSOP

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)