PMN23UN,135

NXP USA Inc

PMN23UN,135

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

停产/老旧SC-74, SOT-457模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740 pF @ 10 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 1mA (Typ)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.3A (Tc)
最大功耗1.75W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-74, SOT-457
供应商器件封装SC-74

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)