PMG45UN,115

Name: PMG45UN,115
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 3A 6TSSOP

停产/老旧6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 3A, 4.5V
基础料号	PMG45
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	184 pF @ 10 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)
最大功耗	375mW (Ta), 4.35W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)