PMF280UN,115

Name: PMF280UN,115
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323-3

停产/老旧SC-70, SOT-323模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	340mOhm @ 200mA, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	45 pF @ 20 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.02A (Tc)
最大功耗	560mW (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)