PMDPB70EN,115

NXP USA Inc

PMDPB70EN,115

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6HUSON

停产/老旧6-UFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.5A, 10V
基础料号PMDPB70
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds130pF @ 15V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A
Power - Max510mW

机械

封装Bulk
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-HUSON (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)