PMCM650VNEZ

NXP USA Inc

PMCM650VNEZ

模拟与电源

MOSFET N-CH 12V 6.4A 6WLCSP

停产/老旧6-XFBGA, WLCSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060 pF @ 6 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Ta)
最大功耗556mW (Ta), 12.5W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case6-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装6-WLCSP (1.48x0.98)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)