PHT8N06LT,135

NXP USA Inc

PHT8N06LT,135

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 5A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 25 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±13V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
最大功耗1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SC-73

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)