PHM25NQ10T,518

NXP USA Inc

PHM25NQ10T,518

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

停产/老旧8-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 20 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30.7A (Tc)
最大功耗62.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-HVSON (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)