PHM12NQ20T,518

NXP USA Inc

PHM12NQ20T,518

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

停产/老旧8-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1230 pF @ 25 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.4A (Tc)
最大功耗62.5W (Tc)

机械

Package / Case8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-HVSON (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)