PHD37N06LT,118

Name: PHD37N06LT,118
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 37A DPAK

停产/老旧TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 17A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 25 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR)
产品状态	停产/老旧
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±13V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA

漏源电压	55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37A (Tc)
最大功耗	100W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	DPAK

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)