PHD16N03LT,118

Name: PHD16N03LT,118
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 16A DPAK

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 16A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 30 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
最大功耗	32.6W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)