PHB38N02LT,118

Name: PHB38N02LT,118
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 25A, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 20 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	44.7A (Tc)
最大功耗	57.6W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)