PH5525L,115

NXP USA Inc

PH5525L,115

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56

停产/老旧SC-100, SOT-669模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2150 pF @ 12 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C81.7A (Tc)
最大功耗62.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
供应商器件封装LFPAK56, Power-SO8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)