BUK9E3R2-40E,127

Name: BUK9E3R2-40E,127
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

停产/老旧TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9150 pF @ 25 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Through Hole
包装	Tube
产品状态	停产/老旧
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA

漏源电压	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
最大功耗	234W (Tc)

Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
供应商器件封装	I2PAK

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)