BUK7Y54-75B,115

NXP USA Inc

BUK7Y54-75B,115

模拟与电源

MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK56

停产/老旧SC-100, SOT-669模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds803 pF @ 25 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21.4A (Tc)
最大功耗59W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-100, SOT-669
供应商器件封装LFPAK56, Power-SO8

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)