BUK7575-100A,127

NXP USA Inc

BUK7575-100A,127

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1210 pF @ 25 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
最大功耗99W (Ta)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)