BUK7510-100B,127

Name: BUK7510-100B,127
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

PFET, 75A I(D), 100V, 0.01OHM, 1

在产TO-220-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6773 pF @ 25 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Through Hole
包装	Tube
产品状态	在产
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
最大功耗	300W (Tc)

Package / Case	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)