BUK7108-40AIE,118

NXP USA Inc

BUK7108-40AIE,118

模拟与电源

PFET, 75A I(D), 40V, 0.008OHM, 1

在产TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 50A, 10V
FET FeatureCurrent Sensing
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3140 pF @ 25 V
制造商NXP USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
最大功耗221W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
供应商器件封装SOT-426

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)