BUK663R7-75C,118

Name: BUK663R7-75C,118
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

PFET, 120A I(D), 75V, 0.0058OHM

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15450 pF @ 25 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA

漏源电压	75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
最大功耗	306W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)