BUK6217-55C,118

Name: BUK6217-55C,118
Brand: NXP USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 12A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 25 V
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA

漏源电压	55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	44A (Ta)
最大功耗	80W (Ta)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)