PSMN5R0-100PS,127

NXP Semiconductors

PSMN5R0-100PS,127

模拟与电源

NOW NEXPERIA PSMN5R0-100PS - 120

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9900 pF @ 50 V
制造商NXP Semiconductors
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
最大功耗338W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)