PSMN018-100ESFQ

NXP Semiconductors

PSMN018-100ESFQ

模拟与电源

NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1482 pF @ 50 V
制造商NXP Semiconductors
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A (Ta)
最大功耗111W (Ta)

机械

封装Bulk
供应商器件封装I2PAK

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)