PHD71NQ03LT,118

NXP Semiconductors

PHD71NQ03LT,118

模拟与电源

NEXPERIA PHD71NQ03LT - TRANSISTO

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1220 pF @ 25 V
制造商NXP Semiconductors
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
最大功耗120W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)