BUK663R2-40C,118

NXP Semiconductors

BUK663R2-40C,118

模拟与电源

NEXPERIA BUK663R2-40C - 100A, 40

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8020 pF @ 25 V
制造商NXP Semiconductors
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
最大功耗204W (Tc)

机械

封装Bulk

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101