NTE464

NTE Electronics, Inc

NTE464

Datasheet

模拟与电源

MOSFET-P CHANNEL AMP/SW

在产TO-72-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs600Ohm @ 0A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5000 pF @ 10 V
制造商NTE Electronics, Inc
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10A

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
最大功耗800mW (Tc)

机械

封装Bag
Package / CaseTO-72-3
供应商器件封装TO-72

环境

工作温度175°C (TJ)