NTE455

NTE Electronics, Inc

NTE455

Datasheet

模拟与电源

MOSFET-DUAL GATE N-CH

在产SOT-103模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 10 V
制造商NTE Electronics, Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25mA
最大功耗200mW (Ta)

机械

封装Bag
Package / CaseSOT-103

环境

工作温度-55°C~125°C