NTE454

NTE Electronics, Inc

NTE454

Datasheet

模拟与电源

MOSFET-DUAL GATE N-CH

在产TO-72-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 15 V
制造商NTE Electronics, Inc
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60mA
最大功耗1.2W

机械

封装Bag
Package / CaseTO-72-3
供应商器件封装TO-72

环境

工作温度-65°C~175°C(TJ)